- 1 MΩ에서 저항; ~ 10 GΩ +
- 높은 정확도 : 최대 .03-0.5 %; 3 정확도 클래스
- 5kV의 최대 전압
- 메거스 교정에 이상적
- 저전압 계수 : 0.2ppm / V
- 높은 안정성 : 최대 50 ppm / 년
- 특별 및 사용자 정의 구성 가능
High Resistance, 5kV 및 10kV Decade Box (HRRS-5kV, HRRS-10kV)는 10TΩ까지 올라가는 교정 및 높은 저항 데시드 표준 작동에 필요한 고압 10 배 박스 제품군입니다. 정확성, 안정성 및 온도 및 저항의 전력 계수를 희생시키지 않으면서도 고전압에서 높은 저항 값을 사용할 수 있습니다.
HRRS-5kV, 10 kV Decade Box는 뛰어난 성능과 함께 높은 범위의 다양한 저항 소스를 제공합니다. 이러한 고 저항 10 배 박스는 다양한 유형의 최첨단 정밀 저항을 사용합니다. 정밀도 저하를 최소화하기 위해 매우 낮은 누설로 고전압에서 작동하도록 특별히 설계되었습니다.
표준 모델은 1 ~ 9 년의 선택을 제공합니다. 패널에는 단계 크기와 각 10 년 동안 적용 할 수있는 최대 허용 입력이 명확하게 표시되어 있습니다. 표준 모델 외부의 사용자 정의 요구 사항을 만족시킬 수 있습니다.
10 Ω의 낮은 분해능과 10 TΩ의 최대 가용 저항으로 HRRS-5kV 및 10kV 시리즈는 최대 10 kV의 전압을 필요로하는 정밀 정밀도가 높은 저항 어플리케이션에 사용될 수 있습니다.
HRRS-5kV & -10kV 고 저항 데 케이드 박스 애플리케이션
- • 메거와 메그 뮬러의 교정,
- • 전기 화학 및 생물 의학 센서 및기구 점검.
- • 고 임피던스 앰프 테스트 및 저전력 회로의 절연.
HRRS--5kV and 10kV Basic Specifications
(Full specifications can be found on the datasheet)Resistance per step | Total decade resistance | Accuracy | Max voltage per step (V) | 5 kV Maximum Voltage (V) | 10 kV Maximum Voltage (V) | Temperature coefficient (ppm/C) | Voltage coefficient (ppm/V) | Stability (ppm/yr) | Resistor Type | ||
Q | B | F | |||||||||
10Ω | 100Ω | ±(0.01%+2 mΩ) | ±(0.03%+2 mΩ) | ±(0.10%+2 mΩ) | 2.5 | 25 | 25 | 15 | 0 | 10 | Wirewound |
100Ω | 1kΩ | ±(0.01%+2 mΩ) | ±(0.03%+2 mΩ) | ±(0.10%+2 mΩ) | 8 | 80 | 80 | 5 | 0 | 10 | Wirewound |
1kΩ | 10kΩ | ±0.01% | ±0.03% | ±0.1% | 23 | 230 | 230 | 5 | 0 | 10 | Wirewound |
10kΩ | 100kΩ | ±0.01% | ±0.03% | ±0.1% | 70 | 700 | 700 | 5 | 0 | 10 | Wirewound |
100kΩ | 1MΩ | ±0.01% | ±0.03% | ±0.1% | 230 | 2,300 | 2,300 | 5 | 0 | 10 | Wirewound |
1MΩ | 10MΩ | ±0.01% | ±0.03% | ±0.1% | 1000 | 5,000 | 10,000 | 15 | 0.2 | 25 | Wirewound |
10MΩ | 100MΩ | ±0.03% | ±0.1% | ±1% | 5,000* | 5,000 | 10,000 | 15 | 0.2 | 50 | High-voltage film |
100MΩ | 1GΩ | ±0.1% | ±0.2% | ±1% | 5,000 or 10,000 | 5,000 | 10,000 | 25 | <1 | 100 | High-voltage film |
1GΩ | 10GΩ | ±0.2% | ±0.5% | ±1% | 5,000 or 10,000 | 5,000 | 10,000 | 25 | 1 | 500 | High-voltage film |
10GΩ | 100GΩ | ±0.5% | ±1% | ±1% | 5,000 or 10,000 | 5,000 | 10,000 | 25 | 1 | 500 | High-voltage film |
100GΩ | 1TΩ | ±0.5% | ±1% | ±1% | 5,000 or 10,000 | 5,000 | 10,000 | 100 | 2 | 500 | High-voltage film |
1TΩ | 10TΩ | ±3% | ±5% | ±10% | 5,000 | 5,000 | 10,000 | 300 | <20 | 500 | High-voltage film |
*To apply up to 10 kV at 10 MΩ, set the 1 MΩdecade to its "10" position.