HARS-X2-1-1 Hochleistungsdekade Box

  • Widerstand von 1 mΩ bis 111 MΩ
  • Erhältlich in Doppel-Power-Version: HARS-X2
  • Große Auswahl: Single bis 11 Dekaden
  • Hohe Genauigkeit - 0,01% (100 ppm)
    • HARS-X: ± (0,01% + 2 mΩ)
    • HARS-B: ± (0,1% + 4 mΩ)
  • Sehr niedriger Nullwiderstand: <1 mΩ pro Dekade für HARS-X
  • Hochleistungsfähige Kontakte aus Silberlegierung
  • Niedriger Temperaturkoeffizient: - 5 ppm / ° C
  • Nicht-induktive oder niederinduktive Widerstände
  • Rack-Montage verfügbar

Priced at
1.056,00 $

Die HARS-Serie ist die beste Wahl, wenn Sie eine Dekadenbox mit hoher Toleranz für die Laborqualität und enge Toleranzen benötigen, die auch kosteneffektiv ist.

Die Widerstandsbestandteil-Dekadenbox mit hoher Genauigkeitsresistenz (HARS) ist eine Familie von Instrumenten, die eine sehr breite Auswahl von Hochleistungswiderstandsquellen bietet. Mit einer Auflösung von nur 1 mΩ und einem maximal verfügbaren Widerstand von mehr als 111 MΩ können die Widerstandsdekadengehäuse der HARS-Serie für anspruchsvolle Präzisionsmessanwendungen verwendet werden, die eine hohe Genauigkeit, eine gute Stabilität und einen geringen Nullwiderstand erfordern. Eine beliebige Anzahl von Jahrzehnten von eins bis elf steht in einer Auswahl von Genauigkeiten zur Verfügung.

Die HARS Widerstands-Dekaden-Box ist eine Präzisions-Widerstandsquelle mit ausgezeichneten Eigenschaften hinsichtlich Stabilität, Temperaturkoeffizient, Leistungskoeffizient und Frequenzgang. Die HARS-Serie verwendet sehr niederohmige Schalter mit Silberlegierungskontakten. Ein spezielles Design hält den HARS-X für einen Widerstand von weniger als 1 mΩ pro Dekade. Die Selbstreinigung verhindert, dass die Silberkontakte beschädigt werden, wenn sie nicht verwendet werden oder wenn nur geringe Ströme durch sie hindurch fließen. Dies ist meistens der Fall, wenn nur winzige Testströme von digitalen Multimetern oder anderen Testinstrumenten gezogen werden. Kontaktwiderstand ist stabil und bleibt niedrig und wiederholbar.

Die HARS Widerstands-Dekaden-Boxen mit hochwertigen vergoldeten Tellur-Kupfer-Polklemmen dienen zur Minimierung der thermischen EMK-Effekte, die eine Änderung der DC-Widerstandsmessungen künstlich widerspiegeln. Alle anderen Leiter innerhalb der Widerstands-Dekaden-Box sowie das verwendete Lötmittel enthalten keine Metalle oder Verbindungen, die zu thermischen EMK-Problemen beitragen könnten.

HARS Resistance Decade Box Anwendungen

  • * Kann als Komponenten von Gleich- und Wechselstrombrücken verwendet werden
  • * Ausgezeichnete Wahl als Widerstandskalibrierung oder Übertragungsstandard
  • * Als Präzisions-RTD-Simulator.
  • * Die HARS Series Dekadenbox kann in einem Rack montiert werden, um als Komponenten in Mess- und Steuersystemen zu dienen

HARS-X Series Resistance Decade Box Basic Specifications (Full specifications can be found on datasheet)

Accuracy: ≤1 MΩ steps: ±(0.01% + 2 mΩ) 10 MΩ steps: ±0.03% after subtraction of zero resistance, at 23°C; traceable to SI
Zero Resistance: <1 mΩ per decade at dc for ≤1 MΩ decades: 10 MΩ decade: ≈3 mΩ at dc
Maximum Voltage to Case: 2000 V peak Switches:
Continuous rotation 11 positions marked "0"-"10" Multiple solid silver-alloy contacts

Resistance per step
Total decade resistance
Stability (±ppm/yr)
Long-term stability (±ppm/3 yrs)
Temperature coefficient (±ppm/°C)
Resistor type
HARS-X
HARS-X2
Max current
Max voltage  (per step)
Max power (per step)
Max current
Max voltage  (per step)
Max power  (per step)
1 mΩ
10 mΩ
50
75
50
Resistance wire
8 A
5 mV
0.04 W
9:A
9 mV
0.08 W
10 mΩ
100 mΩ
50
75
20
4 A
40 mV
0.16 W
6.3 A
63 mV
0.4 W
100 mΩ
1 Ω
50
75
20
1.6 A
0.16 V
0.25 W
2.2 A
0.3 V
0.5 W
1 Ω
10 Ω
20
25
20
Wirewound, non-inductive
0.8 A
0.8 V
0.6 W
1.1 A
1.1 V
1.2 W
10 Ω
100 Ω
20
25
15
0.25 A
2.5 V
0.6 W
0.35 A
3.5 V
1.2 W
100 Ω
1 kΩ
20
25
5
80 mA
8 V
0.6 W
110 mA
11 V
1.2 W
1 kΩ
10 kΩ
20
25
5
23 mA
23 V
0.5 W
35 mA
35 V
1.2 W
10 kΩ
100 kΩ
20
25
5
7 mA
70 V
0.5 W
11 mA
110 V
1.2 W
100 kΩ
1 MΩ
20
25
5
2.3 mA*
230 V*
0.5 W*
3 mA*
500 V*
1 W*
1 MΩ
10 MΩ
20
25
5
0.7 mA*
700 V*
0.5 W*
1 mA*
1000 V*
1 W*
10 MΩ
100 MΩ
50
100
10
Metal oxide film
0.1 mA*
1000 V*
0.1 W*
0.1 mA*
1000 V*
0.1 W*
*Subject to maximum of 2000 V to case.